据报道，三星代工厂3纳米良率处于“中高50%范围
发布日期：2024-03-07 16:47:46
导读 韩国媒体报道称，三星3纳米工艺良率不足60%。三星早些时候确认明年的Exynos2500SoC将采用该芯片制造。英伟达和高通等其他公司的未具体说明...
韩国媒体报道称，三星3纳米工艺良率不足60%。三星早些时候确认明年的Exynos2500SoC将采用该芯片制造。英伟达和高通等其他公司的未具体说明的产品也将使用它。
据传三星代工厂将凭借即将推出的3GAP节点在半导体制造领域大举卷土重来。IBM、Nvidia和高通等行业巨头都已签约，这可能是由于台积电的产能问题。然而，韩国新闻媒体DealSite.co.kr的一篇(机器翻译)报道称，该芯片制造商仍有一些问题需要解决。
三星代工的3nm节点(未指定3GAA/3GAP)的良率据称仍处于“中高50%范围”。这与之前的传闻一致，即60%左右。行业分析师表示，“GAA处理方法尚未稳定”，这解释了业绩不佳的原因。值得庆幸的是，其4nm节点表现较好，良率约为75%。这对谷歌来说是个好消息，因为其Pixel9系列的TensorG4SoC将在三星4LPP+上制造。
尽管如此，如果三星希望在未来与台积电和英特尔代工厂竞争，就必须提高良率。三星必须在其3GAP节点上取得成功，因为它将用于制造明年的Exynos2500，这款芯片曾被大肆宣传为三星重回移动AP主导地位。它将为其后继产品(SF2)奠定基础，据称高通将使用该产品为GalaxySoC制造Snapdragon8Gen5，Arm将使用该产品制造Cortex-XCPU内核。
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