GalaxyS25可能获得更快的存储速度UFS5.0将于2027年推出

导读 UFS4.0闪存已经存在一段时间了。读写速度大约是UFS3.1的两倍。现在各大旗舰都在使用它，而且这种情况已经持续了很长一段时间了。好吧，三星...

UFS4.0闪存已经存在一段时间了。读写速度大约是UFS3.1的两倍。现在各大旗舰都在使用它，而且这种情况已经持续了很长一段时间了。好吧，三星GalaxyS25可以提高赌注，并最终提供更快的存储。

GalaxyS25系列可能配备更快的存储

三星半导体公布了一份路线图，其中揭示了细节。明年，即2025年，三星计划提供UFS4.04通道CS。该内存结合了两个UFS控制器，以提高顺序读取速度。

UFS4.04通道CS似乎将能够达到8GB/s的速度，而当前UFS4.0存储的速度为4GB/s。因此，速度大约是原来的两倍。三星强调，这将有助于缩短加载时间和设备上的人工智能应用程序。

不过，我们不确定这款内存是否适用于GalaxyS25。预计将于2025年某个时间上市，并于2024年投产。GalaxyS25系列预计将于2025年初发布，最有可能是在1月份，所以……还有待观察。

UFS5.0预计不会在2027年之前到来

不过，根据三星的路线图，我们必须等到2027年才能推出UFS5.0。UFS5.0将能够提供10GB/s的速度。因此，如果一切按计划进行，并且三星坚持其命名方案，GalaxyS27预计将首次推出这种存储。

考虑到UFS4.04通道CS将比UFS4.0提供相当大的提升，我们确实预计许多OEM将从明年开始使用它。许多公司在其旗舰智能手机方面选择最快的RAM和存储。考虑到如今旗舰智能手机的价格标签，这是可以预料的。

标签：

免责声明：本文由用户上传，如有侵权请联系删除！