内存技术的圣杯通用内存的新候选者在取代RAM和NAND的竞赛中出现

导读当前的内存市场每年价值1650亿美元，主要由DRAM和NAND闪存主导。前者速度快、耐用性好，但不稳定，需要不断刷新数据。另一方面，后者是非易...

当前的内存市场每年价值1650亿美元，主要由DRAM和NAND闪存主导。前者速度快、耐用性好，但不稳定，需要不断刷新数据。另一方面，后者是非易失性的，在断电时保留数据，但速度较慢且编程/擦除循环耐久性较差。

ULTRARAM由英国兰开斯特大学的子公司QuinasTechnology开发，结合了两者的优点，提供快速、非易失性存储器，具有高耐用性和超低开关能量。

该技术最近在闪存峰会上获奖，它比闪存具有更长的使用寿命，与系统内存的读/写速度相匹配，并且需要更少的功率。

ULTRARAM利用称为谐振隧道的量子力学过程，使其能够提供非易失性以及快速、节能的写入和擦除功能，从而实现高耐用性。这种特性的组合以前被认为是无法实现的，这也是为什么有些人将其称为“存储技术的圣杯”。

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ULTRARAM不是硅基材料，而是使用III-V族化合物半导体材料，包括锑化镓(GaSb)、砷化铟(InAs)和锑化铝(AlSb)。

与使用高电阻氧化物势垒来保留电荷的闪存不同，ULTRARAM使用原子级薄层InAs/AlSb来创建“三重势垒谐振隧道”(TBRT)电荷限制结构。这使得ULTRARAM能够在高电阻状态和高导电状态之间切换，从而赋予其独特的性能。

ULTRARAM的能源效率无疑令人印象深刻。据报道，它的单位面积开关能量比DRAM低100倍，比闪存低1,000倍，比其他新兴存储器低10,000倍以上。其非破坏性读取和非易失性进一步增强了其超低能耗的特性，从而无需刷新。

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