在过去的几十年里，世界各地的电子工程师和材料科学家一直在研究各种材料在制造晶体管、放大或切换电子设备中的电信号的设备方面的潜力。众所周知，二维(2D)半导体是用于制造新电子器件的特别有前途的材料。

尽管它们具有优势，但这些材料在电子产品中的使用很大程度上取决于它们与高质量电介质、绝缘材料或电流不良导体材料的集成。然而，这些材料可能难以沉积在二维半导体基板上。

南洋理工大学、北京大学、清华大学和北京量子信息科学研究院的研究人员最近展示了利用范德华力成功地将单晶滴定锶(一种高κ钙钛矿氧化物)与二维半导体集成。他们的论文发表在NatureElectronics上，可以为开发新型晶体管和电子元件开辟新的可能性。

“我们的工作主要受到2016年发表在NatureMaterials上的一篇论文的启发，”进行这项研究的两名研究人员WangXiaoRenshaw和AllenJianYang告诉TechXplore。“本文介绍了一种独立的单晶钙钛矿薄膜的智能方法，这种薄膜通常被视为易碎的陶瓷，但具有丰富的功能。这种方法提供了将这些材料转移到任意基板上并将它们与各种材料集成的机会。”

作为最有前途的钙钛矿氧化物之一，SrTiO3表现出极高的介电常数。然而，已发现将钙钛矿氧化物与具有不同原子结构的材料结合起来几乎是不可能的。

“传统上，单晶钙钛矿氧化物和二维层状半导体之间的晶格失配阻碍了高质量氧化物覆盖层的外延生长，”Renshaw和Yang解释说。“此外，涉及高温和氧气气氛的单晶钙钛矿氧化物的生长条件不利于二维层状半导体。然而，在我们的范德华集成过程中，钙钛矿氧化物是在晶格匹配的氧化物上生长的衬底，然后在室温下转移到二维层状半导体上。”

RenshawWang、Yang和他们的同事之前进行了几项研究，重点关注生长氧化物和2D电子器件的技术。基于他们在之前工作中取得的成果，他们开始尝试将高κ钙钛矿氧化物和2D层状半导体结合起来，以制造高性能晶体管。

为了实现这一目标，研究人员在水溶性牺牲层上生长了高κ钙钛矿氧化物。随后，他们从该层中取出钙钛矿氧化物，并使用弹性体载体(即聚二甲基硅氧烷或PDMS)将其转移到两种类型的二维半导体上。他们特别使用了二硫化钼和二硒化钨，这两种不同的二维半导体使他们能够分别制造n型和p型晶体管。

RenshawWang和Yang在一系列测试中评估了他们制造的晶体管，发现它们取得了显着的成果。具体而言，二硫化钼晶体管在1V的电源电压和66mVdec-1的最小亚阈值摆幅下表现出108的开/关电流比。

“我们成功地绕过了高κ钙钛矿氧化物和二维半导体集成的限制，我们的方法可以实现几乎无限的材料组合，”RenshawWang和Yang说。“此外，我们发现转移的高k钙钛矿氧化物和MoS2之间的界面质量很高，因为它使我们能够制造具有突然亚阈值斜率的场效应晶体管。”

作为他们最近研究的一部分，研究人员表明，他们创造的晶体管可用于制造高性能和低功耗互补金属氧化物半导体逆变器电路。未来，他们的设备可以大规模制造，用于开发低功耗的逻辑电路和微芯片。

“在我们接下来的研究中，我们将尝试进一步提高高k钙钛矿氧化物的质量，以降低晶体管和逻辑门的电源电压，”Renshaw和Yang补充道。“同时，我们将监测栅极泄漏电流，并在必要时采用缓冲层或双高k氧化物来阻止栅极泄漏。”

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